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薄膜開(kāi)關(guān)的應(yīng)用與同步整流

       薄膜開(kāi)關(guān)的應(yīng)用與同步整流，這一出現(xiàn)，諧振或者軟薄膜開(kāi)關(guān)等方式可有效地降低伴隨著高頻化帶來(lái)的損耗這時(shí)，薄膜開(kāi)關(guān)損耗只不過(guò)是全部損耗中的一部分，若在高頻領(lǐng)域，磁性器件的損耗所占的比例較大。開(kāi)發(fā)低電壓的集成電路是一種趨勢(shì)，因此低壓大電流的電譚顯得非常重要。對(duì)于這樣的電源二極管正向壓降引起的損耗幾乎占總損耗的一半。揚(yáng)州欣達(dá)電子 m.ltell.cn

       為此，希望采用FET構(gòu)成同步整流方式。然而，采用FET時(shí)，由于管內(nèi)二極管的恢復(fù)特性與變壓器漏感等的影響提高頻率是有限的，對(duì)于目前的技術(shù)，薄膜開(kāi)關(guān)頗本為300kH藝左右除了損耗與薄膜開(kāi)關(guān)頻率以外，決定薄膜開(kāi)關(guān)電源休積的還有構(gòu)成電源的元器件。為了減少電源的元器件數(shù)目．需要開(kāi)發(fā)電源模塊，有效利用腸磁通的寄生參量，特別是對(duì)于諧振薄膜開(kāi)關(guān)電源，可利用漏磁通作為諧振的參量這時(shí)，可自動(dòng)調(diào)整這些寄生參量。