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   濺射鍍膜的基本原理是利用帶電荷的離子在電場中加速后其有一定動能的特點，將離子引向欲被濺射的靶電極。在離子能量滿足一定條件的情況下，入射的離子在與靶原子的碰撞過程中使靶原子從表面濺射出來，被濺射出來的原子帶有一定的動能，并且會沿著一定的方向射向基片，從而實現在基片上薄膜的沉積。濺射出的粒子大多呈原子狀態，常被稱為濺射原子。轟擊靶的入射荷能離子可以是電子、離子或中性粒子，但因離子在電場作用下易于加速而獲得所需動能，所以大多采用離子作為轟擊粒子，稱為人射離子。這種鍍膜技術又稱為離子濺射鍍膜(或沉積)。與此相應.對于靶而言，濺射產生的作用相當于刻蝕，因此利用濺射也可以進行刻蝕。淀積和刻蝕是濺射過程的兩種應用。濺射鍍膜現已廣泛地應用于各種薄膜的制備之中，如用于制備金屬、合金、半導體、氧化物、絕緣介質薄膜，化合物半導體薄膜，碳化物及氮化物薄膜，高TC超導薄膜等。

   濺射鍍膜與真空蒸發鍍膜相比，有以下特點:

   (1)可以濺射任何物質。不論是金屬、半導體、絕緣體、化合物和棍合物，也不論是塊狀、粒狀的物質，只要是固體，都可以作為靶材.由于濺射氧化物等絕緣材料和合金時，幾乎不發生分解和分餾，所以可用于制備與靶材料組分相近的薄膜和組分均勻的合金膜.乃至成分復雜的超導薄膜。