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【技術(shù)文章】薄膜的形成與生長(zhǎng) 2014-03-31

薄膜的形成過(guò)程是指形成穩(wěn)定核之后的過(guò)程；薄膜生長(zhǎng)模式是指薄膜形成的宏觀形式。薄膜的生長(zhǎng)模式大體上可分為三種:島狀生長(zhǎng)模式、層狀生長(zhǎng)模式和層島結(jié)合的生長(zhǎng)模式。 如圖所示：

【技術(shù)文章】薄膜晶核的形成與生長(zhǎng)的物理過(guò)程 2014-03-26

在基底表面上吸附的氣相原子凝結(jié)之后，吸附原子在其表面上擴(kuò)散遷移而形成晶核。晶核再結(jié)合其他吸附氣體原子逐漸長(zhǎng)大，*便形成了薄膜。因此薄膜的形成是由成核開始的，由核生長(zhǎng)而形成薄膜。 晶核形成與生長(zhǎng)的物理過(guò)程可用圖5一3來(lái)表示。從圖中可以看出核的形成...

【技術(shù)文章】薄膜表面擴(kuò)散過(guò)程 2014-03-22

入射到基底表面上的氣相原子在表面上形成吸附原子后，它便失去了沿表面法線方向的動(dòng)能，只具有與表面水平方向相平行運(yùn)動(dòng)的動(dòng)能。依靠這種動(dòng)能，吸附原子可以在表面上作不同方向的表面擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。在表面擴(kuò)散過(guò)程中，單個(gè)吸附原子間相互碰撞形成原子對(duì)之后才能產(chǎn)生凝結(jié)。因此凝結(jié)就...

【技術(shù)文章】薄膜的凝結(jié)吸附過(guò)程 2014-03-19

凝結(jié)過(guò)程是指從蒸發(fā)源中或?yàn)R射靶上被蒸發(fā)或?yàn)R射出來(lái)的原子、離子或分子人射到基底表面之后，從氣相到吸附相，再到凝結(jié)相的一個(gè)相變過(guò)程，它是薄膜形成的*個(gè)階段。 固體表面與固體內(nèi)部在晶體結(jié)構(gòu)上的重大差異就是原子或分子間的化學(xué)鍵中斷。原子或分子在固體表面形成...

【技術(shù)文章】薄膜的形成與生長(zhǎng) 2014-03-15

薄膜的形成與生長(zhǎng)過(guò)程大體可分為外來(lái)原子在基底(或稱為基片、基板或襯底)上的凝結(jié)、擴(kuò)散、成核、晶核生長(zhǎng)、原子或粒子團(tuán)的接合及連接成膜等階段。薄膜的形成與生長(zhǎng)過(guò)程不僅與薄膜材料和基底材料有關(guān)，還受原子和離子的狀態(tài)及能量、沉積速率、基底溫度、雜質(zhì)等多種因素的影響。...

【技術(shù)文章】薄膜制備環(huán)境-超凈工作間標(biāo)準(zhǔn)與級(jí)別 2014-03-10

在潔凈的環(huán)境下制備薄膜，是保證薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵技術(shù)之一。凈化間的定義最初是由美國(guó)開發(fā)的聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209版(Federal Standard 209)。后來(lái)發(fā)展為以單位體積中存在一定直徑以上的顆粒數(shù)為基礎(chǔ)的凈化間級(jí)別的定義。凈化間級(jí)別的米制版如表4一18所列。圖4...

【技術(shù)文章】薄膜制備的環(huán)境-塵埃與針孔 2014-03-05

【技術(shù)文章】薄膜圖形加工的主要方法 2014-02-28

在基板表面上形成所要求的薄膜圖形的方法大致有以下三種: (1)用絲網(wǎng)印制術(shù)印制或者用感光樹脂(光刻膠)在基板表面上形成負(fù)圖像，然后采用真空蒸鍍、濺射、CVD等方法進(jìn)行全表面鍍膜，接著把基板浸泡在溶解負(fù)像物質(zhì)的溶劑中，這樣在把形成負(fù)像物質(zhì)泡脹溶解的同時(shí)，...

【技術(shù)文章】什么是薄膜-陶瓷基片 2014-02-25

氧化鋁和鎂橄欖石等絕緣性陶瓷，即使在高溫條件下對(duì)高頻電力也具有優(yōu)異的絕緣電阻、耐壓和介電損耗等性能。陶瓷絕緣材料的主要用途見表4一5，其性能見表4一6。 陶瓷性能受到下面許多因素影響:主要成分的晶體類型，非主要成分組成，雜質(zhì)，玻璃質(zhì)中間物，氣孔數(shù)最和分...

【技術(shù)文章】玻璃基片的性質(zhì) 2014-02-20

玻璃是一種透明的具有平滑表面的穩(wěn)定性材料，可以在小于5000溫度下使用。玻璃的熱性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)隨其成分不同而有明顯變化。如透明石英玻璃，其雜質(zhì)總含量小于l00ppm，在0. 18拜 m-45m一波長(zhǎng)范圍內(nèi)，其為透明狀態(tài)，在20＇C~ 1000C溫度范圍內(nèi)，...